Nexperia bringt e-mode GaN-FETs für Nieder- und Hochspannungsanwendungen auf den Markt

Nexperia, Experte für essentielle Halbleiter, stellt heute seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Enhancement Mode) für Nieder- (100/150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) vor. Durch die Erweiterung des bestehenden Kaskoden-Angebots um sieben neue E-Mode-Bauelemente bietet Nexperia Entwicklern neben dem umfangreichen Portfolio an siliziumbasierten Leistungselektronik-Bauelementen nun auch die optimale Auswahl an GaN FETs aus einer Hand.

Das neue Portfolio von Nexperia umfasst fünf 650V E-Mode GaN FETs (mit RDS(on)-Werten zwischen 80mΩ und 190mΩ) in einer Auswahl von DFN-Gehäusen mit 5x6 mm und DFN mit 8x8 mm. Sie optimieren die Effizienz der Leistungsumwandlung in Hochvolt- und Niederspannungsanwendungen (<650 V) in den Bereichen Datenübertragung/Telekommunikation, Ladegeräte für Consumer Anwendungen, Solaranlagen und Industrie. Sie können auch für die Entwicklung von Antrieben von Gleichstrom- und Servomotoren für Präzision mit höherem Drehmoment und mehr Leistung verwendet werden. 

Außerdem bietet Nexperia jetzt einen 100-V-GaN-FET (3,2 mΩ) in einem WLCSP8-Gehäuse und einen 150-V-Baustein (7 mΩ) in einem FCLGA-Gehäuse an. Diese Bauelemente eignen sich für verschiedene Niederspannungsanwendungen (<150 V) mit hoher Leistung, z. B. für effizientere DC-DC-Wandler in Rechenzentren, schnelleres Aufladen (E-Mobilität und USB-C), kleinere LiDAR-Transceiver, rauschärmere Audioverstärker der Klasse D und Geräte mit höherer Leistungsdichte, wie Mobiltelefone, Laptops und Spielkonsolen. 

GaN-basierte Bauelemente bieten die schnellste Schaltfähigkeit (höchste dv/dt und di/dt) und liefern einen überragenden Wirkungsgrad bei Anwendungen mit geringer und hoher Leistung. Die hervorragende Schaltleistung der E-Mode GaN FETs von Nexperia ist auf sehr niedrige Qg- und QOSS-Werte zurückzuführen, während ihr niedriger RDS(on) leistungseffizientere Designs ermöglicht. Deshalb ermöglichen GaN-FETs in vielen leistungselektronischen Anwendungen die kompakteste Baugröße, wodurch die Stückliste erheblich reduziert wird. Infolgedessen halten GaN-Bauelemente zunehmend Einzug in die Mainstream-Märkte der Leistungselektronik, einschließlich Serveranwendungen, Industrieautomatisierung, Verbraucher- und Telekommunikationsinfrastruktur. 

Mit dieser neuen Version bietet Nexperia nun ein breites Angebot an GaN-FET-Produkten für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen, die für diese Technologie am besten geeignet sind. Dazu gehören Kaskoden-Bauelemente für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen, 650-V-E-Mode-Bauelemente für Hochspannungs- und Niedrigleistungsanwendungen sowie 100/150-V-E-Mode-Bauelemente für Niederspannungs- und Hochleistungsanwendungen. Darüber hinaus werden die E-mode GaN FETs von Nexperia auf einer 8-Zoll-Wafer-Linie gefertigt, um die Kapazität zu erhöhen, und sind für industrielle Anwendungen nach JEDEC-Standard qualifiziert. Die Erweiterung des Angebots an GaN-Bauelementen ist ein Beleg für Nexperias Engagement für hochwertige Silizium- und Wide-Bandgap-Technologien. 

Weitere Informationen über die neuen 100 V, 150 V und 650 V E-mode GaN FETs von Nexperia finden Sie unter: nexperia.com/gan-fets

Über Nexperia

Nexperia ist ein globales Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in den Niederlanden, über 15.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern in Europa, Asien und den Vereinigten Staaten und einer langjährigen europäischen Geschichte. Als führender Experte entwickelt und produziert Nexperia essentielle Halbleiter, Komponenten, welche die Basisfunktionen von praktisch jedem elektronischen Design auf der Welt ermöglichen. Diese finden sich in der Automobil- und Industrieelektronik aber auch in Mobil- und Verbraucheranwendungen. 
Mit über 100 Milliarden ausgelieferten Bauteilen pro Jahr bedient das Unternehmen einen weltweiten Kundenstamm. Diese Produkte gelten als Maßstab für Effizienz hinsichtlich Herstellung, Größe, Stromverbrauch und Leistung. Das Bekenntnis von Nexperia zu Innovation, Effizienz, Nachhaltigkeit und strengen Industrieanforderungen zeigt sich in seinem umfangreichen IP-Portfolio, sowie der wachsenden Produktpalette und seiner Zertifizierung nach den Normen IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.

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