Nexperia、次世代650V窒化ガリウム（GaN）技術を発表

基幹半導体のエキスパートであるNexperia（本社：オランダ、ナイメーヘン）は、次世代高耐圧GaN HEMT H2技術を採用し、TO-247パッケージとNexperia独自のCCPAK表面実装パッケージに封止した新しいGaN FETデバイスを発表しました。新製品は高い安定性とともに優れたスイッチング性能指数（FOM）とオン状態の性能を提供するほか、複雑なドライバと制御機能を不要にするカスコード構成により、アプリケーション設計の簡素化を可能にします。

新しいGaN技術はエピ貫通ビアを採用しており、不具合を低減するとともにダイ·サイズを約24%縮小します。最初にリリースする従来のTO-247パッケージ製品では、オン抵抗をわずか41mΩ（最大値。25°C時の代表値は35mΩ）に低減すると同時に、高いスレッショルド電圧と低ダイオード順方向電圧を提供します。CCPAK表面実装パッケージ製品では、オン抵抗をさらに39mΩ（最大値。25°C時の代表値は33mΩ）に低減します。カスコード構成されていることから、標準シリコンMOSFETドライバを使用した駆動も簡単です。両パッケージ製品とも、車載アプリケーション向けAEC-Q101に準拠しています。

NexperiaのGaNストラテジック·マーケティング·ディレクターのDilder Chowdhuryは、次のようにコメントしています。「電気自動車のオンボード·チャージャ、DC/DCコンバータ、トラクション·インバータや、チタングレードのラック·マウント型通信、5G、データセンタ向けの1.5～5kWの範囲の産業用電源などのアプリケーションでは、お客様は650Vならびに30～40mΩ程度のオン抵抗での大電力変換を実現する上で、高効率でコスト効率の高いソリューションを必要としています。Nexperiaは次世代GaNプロセスを使用した製品の開発や拡充への投資を続けており、最初に従来のTO-247パッケージ製品と電源モジュール·メーカー向けのベアダイ製品を発表し、続いて、高性能表面実装CCPAKパッケージ製品を投入します」。

NexperiaのCCPAK表面実装パッケージは、実証済みで革新的なNexperiaの銅クリップ·パッケージ技術を採用し、内部のボンド·ワイヤを代替しています。これにより、寄生損失の低減、電気特性と熱特性の最適化、信頼性の向上が可能になります。CCPAK GaN FETは上面冷却または下面冷却の構成で提供されることから、汎用性が非常に高く、放熱特性をさらに向上することができます。

TO-247パッケージの650V GAN041-650WSBと、CCPAKパッケージのGAN039-650NBBは、サンプル供給を開始しています。製品仕様やデータシートに関する詳細情報については、www.nexperia.com/gan-fetsをご覧ください。

Nexperiaについて

Nexperiaは世界ですべての電子設計に求められる基幹半導体やコンポーネントの量産のエキスパートとして、世界をリードしています。Nexperiaはダイオード、バイポーラ·トランジスタ、ESD保護デバイス、MOSFET、GaN FET、アナログ/ロジックICなどの広範な製品ポートフォリオを提供しています。本社はオランダのナイメーヘンで、年間製品出荷数は900億を超えており、各製品は自動車業界が設定した厳格な基準に適合しています。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費電力、性能の面で効率のベンチマークとして高い評価を得ており、貴重な電力とスペースを節減し業界をリードする小型パッケージで提供されています。

Nexperiaは数十年間にわたって世界のリーディング企業に製品を供給してきた実績を持っており、アジア、欧州、米国で12,000名を超える従業員を雇用しています。NexperiaはWingtech Technology Co., Ltd.（600745.SS）の子会社であり、広範なIPポートフォリオを有し、IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001、OHSAS 18001の認証を取得しています。

Nexperia: Efficiency wins.

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