Nexperia investiert 200 Millionen US-Dollar in Hamburg

Um die wachsende Nachfrage nach effizienten Leistungshalbleitern nachhaltig zu bedienen, werden ab Juni 2024 alle drei Technologien (SiC, GaN und Si) in Deutschland entwickelt und produziert. Damit unterstützt Nexperia Schlüsseltechnologien im Bereich der Elektrifizierung und Digitalisierung. Denn SiC- und GaN-Halbleiter ermöglichen einen besonders effizienten Betrieb von stromhungrigen Anwendungen wie Datencentern und sind zentrale Bausteine von Elektromobilität und erneuerbarer Energien. Diese WBG-Technologien verfügen über ein großes Potential und werden für die Erreichung von Dekarbonisierungszielen immer wichtiger.
 

„Diese Investition stärkt unsere Position als führender Anbieter von energieeffizienten Halbleitern und ermöglicht es, verfügbare elektrische Energie auf verantwortungsvolle Weise besser zu nutzen”, erklärt Achim Kempe, COO und Deutschlandgeschäftsführer bei Nexperia. „Unser Werk in Hamburg wird in Zukunft die gesamte WBG-Halbleiter-Produktpalette abdecken und zugleich die größte Fabrik für Kleinsignal-Dioden und -Transistoren bleiben. Damit halten wir an unserer Strategie fest, qualitativ hochwertige und kosteneffiziente Halbleiter für Standardapplikationen und leistungsintensive Anwendungen zu produzieren, während wir eine der größten Herausforderungen unserer Generation angehen: den steigenden Energiebedarf zu decken und gleichzeitig den ökologischen Fußabdruck zu reduzieren."

Im Juni 2024 sind bereits die ersten Linien für Hochspannungs-GaN-D-Mode Transistoren sowie für SiC Dioden gestartet. Der nächste Meilenstein sind moderne und kosteneffiziente 200 mm-Produktionslinien für SiC MOSFETs und GaN HEMTs. Diese werden innerhalb der kommenden zwei Jahre in der Hamburger Fabrik aufgebaut. Gleichzeitig wird die Investition dazu beitragen, die bestehende Infrastruktur am Hamburger Standort weiter zu automatisieren und durch konsequente Umstellung auf 200 mm Wafer die Silizium-Produktionskapazität zu erhöhen. Der Erweiterung der Reinraumflächen folgt die Errichtung neuer F&E Labore und gewährleistet auch in Zukunft einen nahtlosen Übergang von der Forschung in die Produktion.

Neben technologischem Fortschritt verspricht sich der Halbleiteranbieter von der Initiative auch wirtschaftliche Impulse für die Region. Die Investitionen leisten einen wichtigen Beitrag zur Sicherung und Schaffung von Arbeitsplätzen und tragen zur Halbleitersouveränität der Europäischen Union bei. Nexperia arbeitet eng mit Universitäten und Forschungseinrichtungen zusammen, um von gegenseitigen Kompetenzen zu profitieren und die Ausbildung von Fachkräften voranzutreiben. Dabei kann sich Nexperia auf ein robustes Forschungs- und Entwicklungsökosystem in Hamburg und ganz Europa verlassen: Unter anderem dank Entwicklungspartnerschaften, z.B. im Bereich GaN-Technologie als Teil des Industrial Affiliation Program des belgischen Interuniversity Microelectronics Centre (imec IIAP). Diese und weitere Kooperationen stellen kontinuierliche Innovation und technologische Spitzenleistung von Nexperia Produkten sicher.

"Die geplante Investition ermöglicht uns, WBG-Chipdesign und-Produktion nach Hamburg zu bringen, aber SiC und GaN sind für Nexperia keineswegs Neuland. Seit 2019 haben wir GaN FETs in unserem Portfolio, und 2023 erweiterten wir unser Angebot um SiC-Dioden und SiC-MOSFETs, letztere in Zusammenarbeit mit Mitsubishi Electric. Nexperia gehört zu den wenigen Anbietern, die eine umfassende Palette an Halbleitertechnologien bereitstellen, darunter Si, SiC und GaN in sowohl e-mode als auch d-mode. Dadurch bieten wir unseren Kunden eine zentrale Anlaufstelle für all ihre Halbleiterbedarfe," erklärt Stefan Tilger, CFO und Deutschlandgeschäftsführer von Nexperia.

Die Investition ist ein weiterer Meilenstein in der 100-jährigen Geschichte des Produktionsstandorts von Nexperia in Hamburg-Lokstedt. Seit der Gründung der Valvo Radioröhrenfabrik im Jahr 1924 hat sich der Standort kontinuierlich weiterentwickelt und liefert heute rund ein Viertel der weltweiten benötigten Kleinsignal-Dioden und -Transistoren aus. Seit der Ausgliederung aus NXP im Jahr 2017 hat Nexperia erheblich in den Standort Hamburg investiert, die Belegschaft von 950 auf etwa 1.600 Beschäftigte erhöht und die technologische Infrastruktur auf den neuesten Stand gebracht. Diese kontinuierlichen Aufwendungen unterstreichen das Engagement des Unternehmens, weiterhin an der Spitze der Halbleiterindustrie zu stehen und seinen Kunden weltweit innovative Lösungen anzubieten.

Weitere Informationen zur Unternehmensgeschichte finden Sie unter Nexperia.com/about. Aktuelle und historische Pressebilder, sowie Hintergrundinformationen für die redaktionelle Berichterstattung entnehmen Sie unserem Presse-Kit. Dieses können Sie hier herunterladen: https://we.tl/t-4dYEbIuQn7

Über Nexperia

Nexperia ist ein globales Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in den Niederlanden, über 14.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern in Europa, Asien und den Vereinigten Staaten und einer langjährigen europäischen Geschichte. Als führender Experte entwickelt und produziert Nexperia essenzielle Halbleiter, Komponenten, welche die Basisfunktionen von praktisch jedem kommerziellen elektronischen Design auf der Welt ermöglichen. Diese finden sich in der Automobil- und Industrieelektronik aber auch in Mobil- und Verbraucheranwendungen. 
Mit über 100 Milliarden ausgelieferten Bauteilen pro Jahr bedient das Unternehmen einen weltweiten Kundenstamm. Diese Produkte gelten als Maßstab für Effizienz hinsichtlich Herstellung, Größe, Stromverbrauch und Leistung. Das Bekenntnis von Nexperia zu Innovation, Effizienz, Nachhaltigkeit und strengen Industrieanforderungen zeigt sich im umfangreichen IP-Portfolio, sowie der wachsenden Produktpalette und Zertifizierung nach den Normen IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.

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