Nexperia、SOAを倍に拡張したホットスワップに最適な新しい特定用途向けMOSFET（ASFET）を発表

必要不可欠な半導体のエキスパートであるNexperia（本社：オランダ、ナイメーヘン）は業界最高レベルの強化された安全動作領域（SOA）性能と超低オン抵抗（R_DS(on)）を兼ね備え、データセンターのサーバーや通信機器などの12Vホットスワップ用途に理想的な25Vと30Vの完全に最適化された10製品を新たに発表し、「ホットスワップ/ソフトスタート用ASFET」製品ラインナップを拡充しました。

Nexperiaは数年にわたり、定評あるMOSFETの専門知識とアプリケーションに対する広範な理解を活かし、特定アプリケーションの要件に合わせてMOSFETの重要な性能特性を強化したASFETを開発し、市場をリードしてきました。ASFETの発表以来、Nexperiaはバッテリ絶縁、DCモーター制御、パワー・オーバー・イーサネット（PoE）、自動車用エアバッグなどのアプリケーションに最適化した製品で成果をあげてきました。

ホットスワップ・アプリケーションでは突入電流が信頼性の面で問題をもたらすことがあります。SOAが強化されたMOSFETを開拓したパイオニアであるNexperiaはそうしたアプリケーションに完全に最適化された「SOAが強化されたホットスワップ/ソフトスタート用ASFET」の製品ラインナップを拡充することでこの問題を解決してきました。PSMNR67-30YLE ASFETは従来製品よりもSOAを2.2倍強化（12V @100mS）しつつ、0.7mΩという低オン抵抗（R_DS(on)、最大値）を実現します。その結果、二次降伏（高電圧時にSOA性能が急速に低下する現象）が解消し、全電圧範囲、全温度範囲で優れた性能が維持されます（最適化されていないデバイスと比較した場合）。

新製品は125°Cで完全に特性評価され、高温時のSOAデータシート曲線が提供されているため、設計時に温度ディレーティングを行う必要がなく、設計者をさらにサポートします。

新製品は8種類のデバイス（25V製品が3種類、30V製品が5種類）が提供され、LFPAK56またはLFPAK56Eのパッケージを選択することができ、R_DS(on)が0.7mΩから2mΩまでそろっているため、ほとんどのホットスワップ/ソフトスタート・アプリケーションに適しています。今後、さらに低い0.5mΩのオン抵抗（R_DS(on)）を持つ25V製品も追加リリースする予定です。

詳細についてはnexperia.com/asfets-for-hotswap-and-soft-start をご覧ください。

Nexperiaについて

Nexperiaは世界ですべての電子設計に求められる必要不可欠な半導体やコンポーネントの量産のエキスパートとして、世界をリードしています。Nexperiaはダイオード、バイポーラ・トランジスタ、ESD保護デバイス、MOSFET、GaN FET、アナログ/ロジックICなどの広範な製品ポートフォリオを提供しています。本社はオランダのナイメーヘンで、年間製品出荷数は1,000億を超えており、各製品は自動車業界が設定した厳格な基準に適合しています。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費電力、性能の面で効率のベンチマークとして高い評価を得ており、貴重な電力とスペースを節減し業界をリードする小型パッケージで提供されています。

Nexperiaは数十年間にわたって世界のリーディング企業に製品を供給してきた実績を持っており、アジア、欧州、米国で12,000名を超える従業員を雇用しています。NexperiaはWingtech Technology Co., Ltd.（600745.SS）の子会社であり、広範なIPポートフォリオを有し、IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001の認証を取得しています。

Nexperia: Efficiency wins.

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