Nexperia erweitert sein Wide-Bandgap-Angebot mit Siliziumkarbid (SiC)-Dioden

Nexperia, der Experte für Halbleiterbauelemente, hat heute mit der Einführung von 650 V, 10 A SiC-Schottky-Dioden seinen Eintritt in den Markt für Hochleistungs-Siliziumkarbid (SiC)-Dioden bekannt gegeben. Dies ist ein strategischer Schritt für Nexperia, bereits ein renommierter Lieferant von effizienten Galliumnitrid (GaN) FETs, um sein Angebot an Wide-Bandgap-Halbleitern signifikant zu erweitern.

Nexperias erste SiC-Schottky-Diode ist ein Bauelement mit 650 V repetitiver Spitzensperrspannung (V_RRM) und 10 A kontinuierlichem Vorwärtsstrom (IF), das für die Konsum- und Industrieelektronik entwickelt wurde. Die neue SiC-Diode ermöglicht aufgrund ihrer niedrigen Verluste höchste Wirkungsgrade in leistungselektronischen Applikationen. Sie bietet den zusätzlichen Vorteil eines hochspannungskompatiblen Real-2-Pin (R2P)-Gehäuses mit höherer Kriechstrecke und ist wahlweise für die Oberflächen- (DPAK R2P und D2PAK R2P) oder Durchsteckmontage (TO-220-2, TO-247-2) erhältlich. Entwicklungsmuster sind auf Anfrage bereits erhältlich, die Markteinführung des Produkts ist für das zweite Quartal 2022 geplant. Nexperia wird sein Portfolio an SiC-Dioden kontinuierlich erweitern, so dass mittelfristig insgesamt 72 Produkte für Spannungen von 650 V und 1200 V und Ströme von 6-20 A zur Verfügung stehen werden.

In einer zunehmend energiebewussten Welt wächst die Nachfrage nach Hochleistungsanwendungen mit hoher Effizienz und Leistungsdichte. In dieser Hinsicht stößt Silizium schnell an seine physikalischen Grenzen. Mark Roeloffzen, General Manager der Bipolar Discretes Group bei Nexperia, erklärt: „Wide-Bandgap-Halbleiter wie Galliumnitrid und Siliziumkarbid sind heute in der Lage, die strengen Anforderungen der Massenproduktion moderner Konsum- und Industriegüter zu erfüllen und versprechen höhere Effizienz und größere Leistungsdichte bei niedrigeren System- und Betriebskosten. Nexperias vielfältiges Portfolio an SiC-Dioden wird diesem Markt eine größere Auswahl und Verfügbarkeit bieten.“

Die SiC-Schottky-Dioden von Nexperia zielen zunächst auf Industrie- und Verbraucheranwendungen ab, darunter:

• Switch Mode Power Supply (SMPS)
• AC-DC- und DC-DC-Wandler
• Elektroauto-Ladestationen
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
• Photovoltaik-Wechselrichter

Nexperia wird sukzessive sein SiC-Dioden-Portfolio auch für die Automobilindustrie erweitern, sodass diese im Bereich der Elektrifizierung von Fahrzeugen eingesetzt werden können, wie:

• On-board Ladegeräte (OBC)
• Wechselrichter
• Hochspannungs-DC-DC-Wandler

Die PSC1065H (-J/-K/-L) ist die erste in einem Portfolio von SiC-Schottky-Dioden, die Nexperia für den Automobil- und Industriemarkt entwickelt. Weitere Informationen über die neue PSC1065x, einschließlich Produktspezifikationen und Datenblatt, finden Sie unter www.nexperia.com/sic_diodes

Über Nexperia

Nexperia ist ein führender Experte auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen, die weltweit in jeder Elektronik benötigt werden. Zum umfassenden Portfolio des Unternehmens gehören Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, MOSFETs, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs. Das im niederländischen Nijmegen ansässige Unternehmen Nexperia liefert mehr als 100 Milliarden Produkte im Jahr aus, die die strengen Anforderungen der Automobilindustrie erfüllen. Diese Produkte setzen bei Prozess, Größe, und Leistungsfähigkeit immer wieder neue Maßstäbe – und das bei branchenführend kompakten Packages mit geringem Energie- und Platzbedarf. Mit jahrzehntelanger Erfahrung als Zulieferer weltweit führender Unternehmen beschäftigt Nexperia über 12.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA. Das Tochterunternehmen der Wingtech Technology Co., Ltd. (600745.SS) verfügt über ein umfangreiches IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001 zertifiziert.

Nexperia: Efficiency wins.

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