넥스페리아, 맨체스터 8인치 웨이퍼 라인에서 업계를 선도하는 낮은 역 복구 전하량(Qrr) 성능지수(Figure of Merit)의 80 V/100 V MOSFET 생산 개시

네덜란드 나인메겐, 2021년 6월 25일 – 핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 맨체스터의 새로운 8인치 팹 라인에서 자사의 최신 NexPower 실리콘 기술을 활용해 낮은 온 저항값(R_DS(on)), 낮은 역 복구 전하량 (Qrr) 80 V 및 100 V MOSFET을 생산하게 된다고 발표했다.

즉시 생산이 확대될 이 새로운 웨이퍼 라인에서 공급되는 PSMN3R9-100YSF (100 V) 및 PSMN3R5-80YSF (80 V) 소자는 업계에서 가장 낮은 역 복구 전하량 (Q_rr) 으로 최고의 성능지수 (Figure of Merit (R_DS(on) x Q_rr))을 특징으로 한다.

넥스페리아의 제품 담당 매니저 인 마이크 베커 (Mike Becker)는 "현재의 전 세계적인 반도체 부족 현상을 감안할 때 넥스페리아의 맨체스터, 필리핀 등 글로벌 제조 현장에서 이뤄지는 MOSFET 생산량 증대를 위한 투자는 고객사들에게 희소식”이라며 “제품 설계자들은 이 새로운 MOSFET의 성능에 매우 만족할 것이다. 이 소자들은 여러 스위칭 기능이 수반되는 애플리케이션에 매우 적합하므로 다른 공급업체들의 제품을 대체하게 될 것이다”라고 언급했다.

NextPower 80 V 및 100 V 실리콘 MOSFET은 이전 세대 제품의 7mΩ에서 4.3mΩ으로 온 저항값 (R_DS(on))를 크게 개선해 효율성을 높였다. 이  NextPower 기술은 또한 스파이크와EMI 배출을 줄이게 하는 100V 부품에 대해 44nC의 동급 최강으로 낮은 역 복구 전하량 (Qrr)값을 가능하게 한다.  100 V 제품에 관한 역 복구 전하량 (Qrr) 성능지수 (Figure of Merit) 수치는 경쟁사의 소자들보다 대체로 평균 61 % 낮다.

이 두 MOSFET들은 넥스페리아의 열 및 전기적 고성능 LFPAK56E 구리 클립 기술 패키지로 제공된다. 이 제품들은 또한 AC/DC, DC/DC 및 모터 제어를 포함해 광범위한 스위칭 애플리케이션에 적합하다.

제품 스펙 및 데이터 쉬트 등 상세한 정보는 여기에 있다.

Nexperia: Efficiency wins.

넥스페리아 소개

넥스페리아는 전 세계 모든 전자 설계에 필요한 필수 반도체 및 부품의 대량 생산 전문업체이다. 넥스페리아의 광범위한 포트폴리오에는 다이오드, 양극성 트랜지스터, ESD 보호 소자, MOSFET, 질화 갈륨(GaN) FET를 비롯해 아날로그 및 각종 로직 IC들이 포함된다. 네덜란드 나인메겐에 본사를 둔 넥스페리아는 매년 900억 개 이상의 제품을 공급하며 자동차 산업이 정한 엄격한 기준을 충족하고 있다. 이 제품들은 공정, 크기, 전력 및 성능 등 모든 면에서 효율성의 기준으로 인정받으며 특히 기기 설계에 귀중한 에너지와 공간을 절약해주는 업계 최고의 소형 패키지로 업계의 벤치마크가 되고 있다.

수십 년간의 경험을 바탕으로 전 세계 굴지의 기업들에 제품을 공급하는 넥스페리아는 각 지역별 고객 지원을 위해 아시아, 유럽, 미국 전역에 걸쳐 22,000명이 넘는 직원들을 고용하고 있다. 윙텍 테크놀로지의 자회사인 넥스페리아는 광범위한 IP 포트폴리오를 보유했으며 IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 및 OHSAS 18001 인증을 획득했다.

상세 정보 문의