650-V-GaN-FETs von Nexperia ermöglichen Stromversorgungen der 80 PLUS ® Titanium-Klasse mit Ausgangsleistungen von 2 kW und mehr

Nexperia, der Experte für Halbleiterbauelemente, gibt bekannt, dass seine 650V Power-GaN-FETs der zweiten Generation (H2) ab sofort in Produktionsstückzahlen verfügbar sind. Die neuen FETs bieten im Vergleich zu bisherigen Technologien und Wettbewerbs-produkten signifikante Vorteile. Mit ihren sehr niedrigen RDS(on)-Widerständen ab 35 mΩ (typ.) eignen sich die neuen Power-GaN-FETs ideal für industrielle Einphasen-AC/DC- und DC/DC-Schaltnetzteile (SMPS) mit Ausgangsleistungen von 2 kW bis 10 kW, insbesondere für Server- und Telekom-Stromversorgungen, welche die Energieeffizienzanforderungen nach 80 PLUS® Titanium erfüllen müssen. Darüber hinaus sind die neuen FETs eine hervorragende Lösung für Solar-Wechselrichter und Servomotoren in dem genannten Leistungsbereich. 

Die neuen 650V H2-Power-GaN-FETs im TO-247-Gehäuse haben bei gegebenem R_DS(on)-Wert eine um 36% kleinere Chip-Fläche, was höhere Stabilität und Energieeffizienz verspricht. Die Kaskodenkonfiguration macht komplizierte Treiber entbehrlich und beschleunigt so die Markteinführung der Endprodukte. Die neuen FETs liefern sowohl in hart- als auch weichschaltenden Topologien eine hervorragende Performance und bieten Entwicklern größt-möglichen Gestaltungsspielraum beim Design.

Dilder Chowdhury, Nexperias GaN Strategic Marketing Director, erläutert: "Die Titanium-Klasse ist mit einem vorgeschriebenen Wirkungsgrad von >91% bei Volllast die anspruchsvollste der 80-PLUS®-Spezifikationen (>96% bei 50% Last). In Server-Anwendungen mit Leistungen von 2 kW und mehr ist es schwierig und aufwändig, diese Anforderung mit herkömmlichen Siliziumbauteilen zu erfüllen. Die neuen Power-GaN-FETs von Nexperia eignen sich ideal für eine elegante Totem-Pole-Schaltung ohne Diodengleichrichter, die weniger Bauteile erfordert, kleinere Abmessungen ermöglicht und Kosten einspart."

Die GaN-FETs der Serie GAN041-650WSB von Nexperia sind ab sofort in Produktionsstückzahlen lieferbar.

Weitere Informationen einschließlich Produktdatenblättern und Videos finden Sie unter https://www.nexperia.com/products/gan-fets.html. 

Entwickler können die GaN-FETs von Nexperia während der PCIM Digital Days (3.–7. Mai) auf unserem virtuellen Messestand erleben. https://pcim.mesago.com

Über Nexperia

Nexperia ist ein führender Experte auf dem Gebiet der Serienproduktion von Halbleiterbauelementen, die weltweit in jeder Elektronik benötigt werden. Zum umfassenden Portfolio des Unternehmens gehören Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, MOSFETs, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs. Das im niederländischen Nijmegen ansässige Unternehmen Nexperia liefert mehr als 90 Milliarden Produkte im Jahr aus, die die strengen Anforderungen der Automobilindustrie erfüllen. Diese Produkte setzen bei Prozess, Größe, und Leistungsfähigkeit immer wieder neue Maßstäbe – und das bei branchenführend kompakten Packages mit geringem Energie- und Platzbedarf. Mit jahrzehntelanger Erfahrung als Zulieferer weltweit führender Unternehmen beschäftigt Nexperia über 12.000 Mitarbeiter in Asien, Europa und den USA. Das Tochterunternehmen der Wingtech Technology Co., Ltd. (600745.SS) verfügt über ein umfangreiches IP-Portfolio und ist nach IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und OHSAS 18001 zertifiziert.

Nexperia: Efficiency wins.

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